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朝鮮日報 記事入力 : 2011/09/22 08:10:35
サムスン20ナノ量産、DRAM市場で日台圧倒
サムスン電子が世界で初めて20ナノメートル級のDRAM（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー）の量産に入り、日台の競合社に比べ、半年から1年半の技術格差をつけた。
世界3位のエルピーダメモリは今年5月「技術力で先行する」と宣言したが、まだまともな製品の量産に至っていない。
専門家はエルピーダがサムスンに比べ6‐9カ月遅れていると推定している。
サムスン電子は周期的に半導体不況が訪れるたびに、積極的な技術開発と投資で競合社との格差を広げてきた。
半導体はウエハー上の回路線幅が細ければ細いほど、生産量を増やすことができる。
このため、20ナノメートルのDRAM量産に伴い、競合社に比べ40％安い価格でDRAMを販売できる。
つまり、日本や台湾の競合社を徹底的にたたく武器を手にした格好だ。
コスト競争力で劣る競合社は、多額の赤字を抱え、メモリー市場から撤退せざるを得ない状況に追い込まれそうだ。
サムスン電子は半導体不況期にこうした戦略で弱小メーカーを事業撤退に追い込み、市場シェアを伸ばしてきた。
■40％のコスト削減効果
DRAMはパソコン、ノートパソコン、携帯電話などさまざまなIT機器のメモリーとして使用され、世界市場規模は年間43兆ウォン（約2兆9000億円）に達する。
台湾の半導体取引専門サイトによると、現在の主力のDRAM価格は原価にも満たない0.66ドル（約50円）だが、サムスン電子はこの水準でも20ナノメートル技術で小幅ながら利益を出すことが可能だ。
このため、サムスンの収益基盤は大きく改善することになる。
ウリ投資証券のパク・ヨンジュ研究委員は
「サムスン電子は競合社に比べ、30‐40％安くDRAMを生産できるため、収益性で差別化が可能だ」
と指摘した。
サムスンは技術力を背景として、今年初めから始まった今回の不況期にもシェアを伸ばし続けることができた。
今年上半期に世界シェアを4ポイント近く高め、6月末現在でDRAMの世界シェアは41.6％に達した。
来年下半期ごろに半導体市場が回復すれば、サムスンは圧倒的な市場シェアと収益性を武器に巨額の利益を上げることができる見通しだ
■最後の勝者
激しい景気サイクルに左右されるメモリー半導体は、不況のたびに各社が生存競争を繰り広げてきた。
仁義無き戦いを勝ち抜いた勝者だけが好況期の利益を独占できる構図だ。
専門家は今回の不況期にサムスン電子、ハイニックス半導体など韓国メーカーが外国の競合社との格差を広げると予想している。
ハンファ証券のアン・ソンホ・チーム長は
「ハイニックスは来年第1‐2四半期にも20ナノメートルのDRAMの量産に入るとみられる。
5位前後の台湾メーカーはサムスンより少なくとも1年半遅れた」
と指摘した。
台湾メーカーは生き残りが危ぶまれる状況となった。
台湾メーカーは赤字に耐えかね、9月から本格的な減産に入る。
業界5位の南亜科技は9月に汎用（はんよう）DRAMの生産量を10％削減することを決めた。
6位の力晶科技（パワーチップ・テクノロジー）は第4四半期から汎用DRAMの生産量を約50％削減することを決めた。
3位の日本のエルピーダメモリと4位の米マイクロン・テクノロジーは、生産ラインの稼働率を抑えることで、生産調整を行っている。
こうした中、韓国の半導体業界では、半導体景気が予想よりも早く好転するのではないかという希望的な観測も出始めている。
業界関係者は
「今回の不況をきっかけとして、半導体市場は強い支配力を持つサムスンとハイニックスによる2社体制が固まるのではないか」
と指摘した。
■ナノとは
1ナノメートルは10億分の1メートル。
半導体は回路線幅が細ければ細いほど、生産コストが削減でき、エネルギー効率も高まる。
このため、回路線幅の微細化が半導体メーカーの生き残るための必須条件となっている。
』
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朝鮮日報 記事入力 : 2011/09/22 08:01:57
サムスン電子、世界初の20ナノ級DRAM量産
サムスン電子が世界の半導体業界で初めて、回路線幅20ナノメートル（ナノは10億分の1）のDRAM（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー）の量産に入ったことが21日までに分かった。
これにより、同社は日本、台湾の競合社との格差をさらに広げることになりそうだ。
20ナノメートル級の半導体は、サムスンの主力製品だった30ナノメートル級の製品に比べコスト競争力が40％以上向上する。
回路線幅が微細化するため、ウエハーの加工によって、生産可能な半導体チップの量が増えるためだ。
半導体業界によると、サムスン電子は新たに建設した京畿道華城市の第16生産ラインで、今月から20ナノメートル級のDRAMの量産に入ったという。
同社は22日、京畿道の器興・華城事業所で李健煕（イ・ゴンヒ）会長が出席し、量産記念式典を行う。
同社は昨年5月から第16生産ラインの建設に着手し、最近完成した。
同ラインではパソコン用DRAMやスマートフォンなどモバイル機器用のNAND型フラッシュメモリーを生産する。
同社関係者は
「李会長が半導体事業全般について報告を行い、現在の半導体不況に対する積極的な対応を求めることになる見通しだ」
と述べた。
一方、メモリー業界世界2位のハイニックス半導体は、今年末をめどに20ナノメートル級製品を開発し、来年初めに量産に入る計画だ。
日本のエルピーダメモリは今年5月、25ナノメートルのDRAMを7月から発売すると発表したが、まだ試作品すら発表できていない状況だという。
』
線を細くするというのは、大変なことである。
しかし、発想としては新しいものではない。
しかし、発想としては新しいものではない。
既存の考えかたを推し進めていく能力には韓国は実に素晴らしいものがある。
が、一歩飛躍の発想が出てこない。
ために現代自動車は電気自動車からの撤退ということになってしまった。
主力を水素燃料自動車に置くと言っているが、いまのところ海のものとも山のものとも解っていない。
建前上は最新技術を追求するということで、なんとなくらしく言い訳はつくが、内容的には見るものはなく明らかに後退である。
現在メモリーは3次元配列の分野に入ってきている。
旧来思考の極限でいっとき頂点に立てるかもしれない。
しかし、3次元が量産化されると、あっと言う間にひっくり返される。
なるべく、明日の技術発明に力をそそぐようにしないと、見通しが立たなくなる。
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朝鮮日報 記事入力 : 2011/09/23 08:12:18
http://www.chosunonline.com/news/20110923000007
サムスン電子会長「半導体業界発の台風に備えよ」
サムスン電子の李健煕（イ・ゴンヒ）会長は22日
「半導体業界発の台風に備えなければならない」
と述べた。
同社が世界で初めて、20ナノメートル（1ナノメートル＝10億分の1メートル）級の半導体の量産体制に入ったことを記念する行事で、李会長はこのように述べ
「現在の地位に安住していては、次世代の半導体をめぐる競争で脱落することもあり得る」
という警告を発した。
サムスン電子はこの日、京畿道華城市の半導体工場で、20ナノのDRAM（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー）とフラッシュメモリの量産体制に入ったことを記念する行事を行った。
李会長は、半導体業界に押し寄せる、まるで台風のような変化に対応するよう注文。
サムスンはこれまで、携帯電話のハードウエアの製造分野では世界最高の技術力を有していると評価されてきたが、米国アップル社のスマートフォン（多機能携帯電話端末）「iPhone」が登場したあおりで、昨年の携帯電話市場では大きな打撃を被った。
』
サムスンのあせりが滲み出ている。
がんばれ、サムスン。
ちなみに「20ナノ級」というのは「25ナノ未満」ということでしょうか、それとも「30ナノ未満」ということでしょうか。
前者だといいのですが。
後者ならいうほどのものでもなくなります。
それより、サムスンに未来戦略らしきものが感じられないのですが。
既存の技術ではなく、何か創造的開発がないと明日への展望というか、精神的明るさというかそういうものが生まれにくいと思うのですが。
22日にサムスンが「20ナノ級」なるものを発表して、そのたった2日後にエルピーダから「25ナノ」と幅を限定したメモリーの発表があった。
20ナノ級というひじょうに奥歯にモノが挟まった言い方で、もしかしたら「29ナノ」の可能性も大きいと思えるような雰囲気が濃厚に支配している表現であった。
サムスンは先のアップルのことといい、今回のメモリーのことといい、踏んだり蹴ったりになっている。
というより、
「サムスン、本当に大丈夫か、ヤバイんじゃないか」
と叫びたくような流れである。
次に発表するときは、「24ナノ」としてもらいたいものである。
『
サーチナニュース 2011/09/24(土) 09:41
http://news.searchina.ne.jp/disp.cgi?y=2011&d=0924&f=business_0924_021.shtml
● エルピーダメモリは世界初の２５ｎｍプロセス４ＧビットＤＤＲ３ ＳＤＲＡＭの開発を完了
■世界最小のチップサイズを実現
半導体ＤＲＡＭ企業のエルピーダメモリ は、25ｎｍ（ナノメートル）プロセスを採用した4Ｇ（ギガ）ビットＤＤＲ3 ＳＤＲＡＭの開発を完了したと発表。
容量は4ＧビットのＤＲＡＭで、世界最小のチップサイズを実現。
サンプル出荷・量産開始ともに12月からを予定している。
この4ＧビットＤＤＲ3 ＳＤＲＡＭは、半導体メモリのＤＲＡＭとして最先端である回路線幅25ｎｍプロセスの超微細加工技術を用いており、エルピーダメモリが世界に先駆け開発した25ｎｍプロセス2ＧビットＤＤＲ3 ＳＤＲＡＭ（2011年5月発表）の倍容量となる4Ｇビット製品になる。
また、同社30ｎｍプロセス4ＧビットＤＤＲ3 ＳＤＲＡＭに比べ、ウェハ1枚あたりのチップ取得数量は約45％増加するため、低コストでの生産に貢献する。
新製品の特長は当社30ｎｍプロセス製品に比べ、動作電流は25～30％、待機電流は30～50％低減した上で、業界最高水準のデータ転送速度を実現した点。
ＤＲＡＭは、パソコンや携帯電話などの情報処理に不可欠なワーキングメモリ。
近年は、音楽、写真、映像など大容量のデータを瞬時にやりとりするニーズが爆発的に増えており、ＤＲＡＭには、データの高速処理性能アップと消費電力削減の両立が求められている。
同製品はパソコンのほか、情報処理を大規模に行うデータセンターなどで使われる各種サーバに搭載される見込み。
さらに、タブレット端末、ＵｌｔｒａＢｏｏｋＴＭ（超薄型ノートＰＣ）にも、順次、採用される見通し。
（情報提供：日本インタビュ新聞社＝Ｍｅｄｉａ－ＩＲ）
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が、一歩飛躍の発想が出てこない。
ために現代自動車は電気自動車からの撤退ということになってしまった。
主力を水素燃料自動車に置くと言っているが、いまのところ海のものとも山のものとも解っていない。
建前上は最新技術を追求するということで、なんとなくらしく言い訳はつくが、内容的には見るものはなく明らかに後退である。
現在メモリーは3次元配列の分野に入ってきている。
旧来思考の極限でいっとき頂点に立てるかもしれない。
しかし、3次元が量産化されると、あっと言う間にひっくり返される。
なるべく、明日の技術発明に力をそそぐようにしないと、見通しが立たなくなる。
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朝鮮日報 記事入力 : 2011/09/23 08:12:18
http://www.chosunonline.com/news/20110923000007
サムスン電子会長「半導体業界発の台風に備えよ」
サムスン電子の李健煕（イ・ゴンヒ）会長は22日
「半導体業界発の台風に備えなければならない」
と述べた。
同社が世界で初めて、20ナノメートル（1ナノメートル＝10億分の1メートル）級の半導体の量産体制に入ったことを記念する行事で、李会長はこのように述べ
「現在の地位に安住していては、次世代の半導体をめぐる競争で脱落することもあり得る」
という警告を発した。
サムスン電子はこの日、京畿道華城市の半導体工場で、20ナノのDRAM（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー）とフラッシュメモリの量産体制に入ったことを記念する行事を行った。
李会長は、半導体業界に押し寄せる、まるで台風のような変化に対応するよう注文。
サムスンはこれまで、携帯電話のハードウエアの製造分野では世界最高の技術力を有していると評価されてきたが、米国アップル社のスマートフォン（多機能携帯電話端末）「iPhone」が登場したあおりで、昨年の携帯電話市場では大きな打撃を被った。
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サムスンのあせりが滲み出ている。
がんばれ、サムスン。
ちなみに「20ナノ級」というのは「25ナノ未満」ということでしょうか、それとも「30ナノ未満」ということでしょうか。
前者だといいのですが。
後者ならいうほどのものでもなくなります。
それより、サムスンに未来戦略らしきものが感じられないのですが。
既存の技術ではなく、何か創造的開発がないと明日への展望というか、精神的明るさというかそういうものが生まれにくいと思うのですが。
22日にサムスンが「20ナノ級」なるものを発表して、そのたった2日後にエルピーダから「25ナノ」と幅を限定したメモリーの発表があった。
20ナノ級というひじょうに奥歯にモノが挟まった言い方で、もしかしたら「29ナノ」の可能性も大きいと思えるような雰囲気が濃厚に支配している表現であった。
サムスンは先のアップルのことといい、今回のメモリーのことといい、踏んだり蹴ったりになっている。
というより、
「サムスン、本当に大丈夫か、ヤバイんじゃないか」
と叫びたくような流れである。
次に発表するときは、「24ナノ」としてもらいたいものである。
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サーチナニュース 2011/09/24(土) 09:41
http://news.searchina.ne.jp/disp.cgi?y=2011&d=0924&f=business_0924_021.shtml
● エルピーダメモリは世界初の２５ｎｍプロセス４ＧビットＤＤＲ３ ＳＤＲＡＭの開発を完了
■世界最小のチップサイズを実現
半導体ＤＲＡＭ企業のエルピーダメモリ は、25ｎｍ（ナノメートル）プロセスを採用した4Ｇ（ギガ）ビットＤＤＲ3 ＳＤＲＡＭの開発を完了したと発表。
容量は4ＧビットのＤＲＡＭで、世界最小のチップサイズを実現。
サンプル出荷・量産開始ともに12月からを予定している。
この4ＧビットＤＤＲ3 ＳＤＲＡＭは、半導体メモリのＤＲＡＭとして最先端である回路線幅25ｎｍプロセスの超微細加工技術を用いており、エルピーダメモリが世界に先駆け開発した25ｎｍプロセス2ＧビットＤＤＲ3 ＳＤＲＡＭ（2011年5月発表）の倍容量となる4Ｇビット製品になる。
また、同社30ｎｍプロセス4ＧビットＤＤＲ3 ＳＤＲＡＭに比べ、ウェハ1枚あたりのチップ取得数量は約45％増加するため、低コストでの生産に貢献する。
新製品の特長は当社30ｎｍプロセス製品に比べ、動作電流は25～30％、待機電流は30～50％低減した上で、業界最高水準のデータ転送速度を実現した点。
ＤＲＡＭは、パソコンや携帯電話などの情報処理に不可欠なワーキングメモリ。
近年は、音楽、写真、映像など大容量のデータを瞬時にやりとりするニーズが爆発的に増えており、ＤＲＡＭには、データの高速処理性能アップと消費電力削減の両立が求められている。
同製品はパソコンのほか、情報処理を大規模に行うデータセンターなどで使われる各種サーバに搭載される見込み。
さらに、タブレット端末、ＵｌｔｒａＢｏｏｋＴＭ（超薄型ノートＰＣ）にも、順次、採用される見通し。
（情報提供：日本インタビュ新聞社＝Ｍｅｄｉａ－ＩＲ）
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